シリコンIGBT市場：地域別市場魅力度分析 2025年～2032年

 

シリコンIGBT市場：地域別市場魅力度（2025～2032年）

Global Silicon IGBT Market Research Report 2025(Status and Outlook)
シリコンIGBT市場は2024年に687億米ドルと評価され、2032年には1120億米ドルに達すると予測されており、2025年から2032年の予測期間において年平均成長率（CAGR）は6.31%です。

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市場の洞察

シリコンIGBT（絶縁ゲートバイポーラトランジスタ）は、MOSFETの高速スイッチング性能とバイポーラトランジスタの高電流処理能力を融合させたパワー半導体です。600V未満から3300Vを超える電圧定格を持ち、ディスクリートIGBT、IGBTモジュール、IPM（インテリジェントパワーモジュール）などの種類があります。

市場成長は、電気自動車、再生可能エネルギーシステム、産業オートメーションなど、さまざまな産業における省エネパワーエレクトロニクスの需要拡大によって牽引されています。アジア太平洋地域が生産と消費の両方で支配的ですが、欧州および北米でも厳しいエネルギー規制の影響により強い導入傾向が見られます。2023年には、Infineonが10%の電力損失削減を実現する1200V TRENCHSTOP™ IGBT7シリーズを発表しました。Mitsubishi ElectricやFuji Electricなど他の主要企業も、シリコンカーバイド（SiC）とのハイブリッドIGBT技術においてイノベーションを進めています。

主なIGBTメーカー一覧（企業名は英語表記のまま）

  • Infineon Technologies AG (Germany)

  • ON Semiconductor (U.S.)

  • STMicroelectronics (Switzerland)

  • Mitsubishi Electric Corporation (Japan)

  • Rohm Semiconductor (Japan)

  • Fuji Electric Co., Ltd. (Japan)

  • SEMIKRON International (Germany)

  • ABB Ltd. (Switzerland)

  • IXYS Corporation (U.S.) – Subsidiary of Littelfuse

  • Starpower Semiconductor (China)

市場競争は、各社が生産能力の拡大や次世代SiCハイブリッドモジュールの開発に注力する中で激化しています。自動車業界における電動化の加速は、EVメーカーとの長期契約締結を後押しし、技術的優位性を持つ企業に成長の機会をもたらしています。

セグメント分析

タイプ別：

600V〜1200Vセグメントが産業用途での高採用率により優位

  • 600V未満

  • 600V〜1200V

  • 1200V〜1700V

  • 1700V〜3300V

  • 3300V超

用途別：

産業用ドライブが主要用途セグメント

  • 産業用ドライブ

  • 家電

  • 自動車

  • 再生可能エネルギー

  • トラクションシステム

エンドユーザー産業別：

製造業が主要な市場シェアを保持

  • 発電

  • 製造業

  • 自動車

  • 家電

  • 鉄道輸送

パッケージング技術別：

モジュール型パッケージが熱効率の利点で優勢

  • ディスクリート

  • モジュール

  • IPM（インテリジェントパワーモジュール）

地域別分析：世界のシリコンIGBT市場

北米

産業オートメーションと再生可能エネルギーの導入が進む北米市場では、1700V〜3300Vの高電圧IGBTモジュールの需要が高まっています。ON SemiconductorやInfineonなどが供給チェーンをリードしており、次世代モジュールの損失低減に向けたR&Dも活発です。

欧州

ドイツを中心に風力タービンコンバータやトラクションインバータの製造が盛んで、600V〜1200VのIGBT需要がEV・ハイブリッド車の普及に伴って拡大。STMicroelectronicsやABBが中心的役割を果たしています。

アジア太平洋

世界の消費量の60%以上を占める最大市場。中国が製造の中心地であり、日本のMitsubishiやFuji Electricが技術革新をけん引しています。<600Vから>3300Vまで、幅広い電圧範囲にわたって需要があります。

南米

ブラジルやアルゼンチンを中心に、産業の近代化による中電圧IGBT（1200V〜3300V）の導入が進行中。インフラ投資の進展により、需要拡大の可能性があります。

中東・アフリカ

GCC諸国の再生可能エネルギー・石油ガス分野においてIGBTの導入が進んでいます。南アフリカでは600V〜1700Vのモジュール需要が見られ、サウジアラビアのNEOMプロジェクトなど大規模案件により将来の成長が期待されます。

市場のダイナミクス

  • SiCやGaN技術は代替ではなく補完的な存在。ハイブリッドIGBTが年率25%で成長中。

  • 再生可能エネルギー統合のための大規模蓄電システムがIGBT需要を押し上げ、今後5年で市場の15～20%を占める可能性。

  • IGBTモジュールの交換需要は、年間販売の30～40%を占める安定収益源。

  • 知的財産権侵害と偽造品の流通が5～8%存在し、正規メーカーに打撃。

  • パワーエレクトロニクス専門技術者の不足が、年率20～25%で進行。

  • 価格面での競争が激化しており、600V〜1200V領域でのSiC MOSFETとの競合に直面。

市場はグローバルおよび地域プレーヤーが入り混じる非常に細分化された構造です。

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よくある質問（FAQ）:

Q1. 世界のシリコンIGBT市場の現在の規模は？
A: 2024年には687億米ドルと評価されています。

Q2. 主な参入企業は？
A: Infineon, ON Semiconductor, Mitsubishi Electricなど。

Q3. 主な成長要因は？
A: 電動化、自動化、再生可能エネルギー需要の拡大。

Q4. どの地域が市場をリードしているか？
A: アジア太平洋が最大の市場。

Q5. 新たな市場トレンドは？
A: ハイブリッドIGBT、蓄電システム、交換需要の増加。

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